TGF2819-FS

製品属性

属性値

メーカー：

Cree、Inc。

製品カテゴリ：

RFJFETトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタタイプ：

HEMT

テクノロジー：

GaN

利得：

14.5 dB

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

150 V

Vgs-ゲート-ソース間降伏電圧：

- 10 V, 2 V

Id-連続ドレイン電流：

10.4 A

出力電力：

75 W

最大ドレインゲート電圧：

50 V

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 107 C

Pd-消費電力：

52 W

取り付けスタイル：

SMD / SMT

包装：

リール

応用：

SバンドレーダーおよびLTE基地局

構成：

独身

動作周波数：

3.5 GHz

動作温度範囲：

- 40 C to + 107 C

ブランド：

Wolfspeed / Cree

製品タイプ：

RFJFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

250

サブカテゴリ：

トランジスタ

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

- 3 V

Tags

TGF281, TGF28, TGF2, TGF