FGA30N65SMD

Mfr. #:: FGA30N65SMD
メーカー:: ON Semiconductor
説明:: IGBT Transistors 650V 30A FS Planar Gen2 IGBT
ライフサイクル:: メーカー新製品
データシート:: FGA30N65SMD データシート
配達:: DHL FedEx Ups TNT EMS
支払い:: T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
詳しくは:: FGA30N65SMD 詳しくは

製品属性
属性値

メーカー: フェアチャイルドセミコンダクター

製品カテゴリ: IGBT-シングル

シリーズ: -

包装: チューブ

単位重量: 0.225789 oz

取り付けスタイル: スルーホール

パッケージ-ケース: TO-3P-3, SC-65-3

入力方式: 標準

取付タイプ: スルーホール

サプライヤー-デバイス-パッケージ: TO-3P

構成: 独身

パワーマックス: 300W

Reverse-Recovery-Time-trr: 35ns

Current-Collector-Ic-Max: 60A

電圧-コレクタ-エミッタ-故障-最大: 650V

IGBTタイプ: フィールドストップ

Current-Collector-Pulsed-Icm: 90A

Vce-on-Max-Vge-Ic: 2.5V @ 15V, 30A

スイッチング-エネルギー: 716μJ (on), 208μJ (off)

ゲートチャージ: 87nC

Td-on-off-25°C: 14ns/102ns

テスト条件: 400V, 30A, 6 Ohm, 15V

Pd-電力損失: 300 W

最高作動温度: + 175 C

最低作動温度: - 55 C

コレクター-エミッター-電圧-VCEO-マックス: 650 V

コレクター-エミッター-飽和-電圧: 2.29 V

連続-コレクター-電流-at-25-C: 60 A

ゲート-エミッタ-リーク-電流: 400 nA

最大ゲート-エミッタ-電圧: +/- 20 V

連続-コレクタ-電流-Ic-Max: 30 A

Tags: FGA30N6, FGA30N, FGA30, FGA3, FGA

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Vacuum Packaging with PL

Step2:
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Field Stop IGBTs: ON Semiconductor Field Stop (FS) IGBTs offer optimum performance with low conduction and switching losses. These IGBTs feature high current handling capability, positive temperature coefficient, tight parameter distribution, and a wide safe operating area. The FS IGBTs come with increased breakdown voltage that improves reliability where negative ambient temperatures are present. As the temperature decreases the IGBT and FRD blocking voltage also decreases that makes the devices particularly beneficial for PV solar inverters used in colder climates. These IGBTs provide fast and soft recovery that reduces power dissipation and achieves low turn-on and turn-off losses.

FGAFx0N60 Field Stop IGBTs: ON Semiconductor FGAFx0N60 650V Field Stop IGBTs use a novel field stop IGBT technology. These IGBTs feature high current capability, low saturation voltage, high input impedance, and fast switching. The FGAFx0N60 IGBTs offer the optimum performance for solar inverters, UPS, welder, and PFC applications that require low conduction and switching losses.

Market price

モデル	メーカー	説明	ストック	価格
FGA30N65SMD DISTI # FGA30N65SMD-ND	ON Semiconductor	IGBT 650V 60A 300W TO3P-3 RoHS: Compliant Min Qty: 450 Container: Tube	Temporarily Out of Stock	450:$2.8353
FGA30N65SMD DISTI # FGA30N65SMD	ON Semiconductor	Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 3-Pin TO-3P - Rail/Tube (Alt: FGA30N65SMD) RoHS: Compliant Min Qty: 450 Container: Tube	Americas - 0	450:$1.7900 900:$1.7900 1800:$1.6900 2700:$1.6900 4500:$1.6900
FGA30N65SMD DISTI # FGA30N65SMD	ON Semiconductor	Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 3-Pin TO-3P - Bulk (Alt: FGA30N65SMD) Min Qty: 162 Container: Bulk	Americas - 0	162:$1.9900 164:$1.9900 326:$1.8900 810:$1.8900 1620:$1.8900
FGA30N65SMD DISTI # 512-FGA30N65SMD	ON Semiconductor	IGBT Transistors FS2PIGBT TO3PN 30A 650V RoHS: Compliant	315	1:$3.6900 10:$3.1300 100:$2.7200 250:$2.5800 500:$2.3100 1000:$1.9500 2500:$1.8500
FGA30N65SMD	Fairchild Semiconductor Corporation	Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel RoHS: Compliant	10800	1000:$2.0400 500:$2.1500 100:$2.2400 25:$2.3300 1:$2.5100
FGA30N65SMD DISTI # 8648770P	ON Semiconductor	IGBT 650V 30A FIELD STOP TO3PN, TU	412	20:£1.3100

関連製品

画像	モデル	説明
	Mfr.#: FGA30N60LSDTU OMO.#: OMO-FGA30N60LSDTU	IGBT Transistors 30A 600V N-Ch Planar
	Mfr.#: FGA30N120FTDTU OMO.#: OMO-FGA30N120FTDTU	IGBT Transistors 1200V 30A FS
	Mfr.#: FGA30N65SMD OMO.#: OMO-FGA30N65SMD	IGBT Transistors FS2PIGBT TO3PN 30A 650V
	Mfr.#: FGA30T65SHD OMO.#: OMO-FGA30T65SHD	IGBT Transistors FS3TIGBT TO3PN 30A 650V
	Mfr.#: FGA30S120P-- OMO.#: OMO-FGA30S120P---1190	ブランドニューオリジナル
	Mfr.#: FGA3060ADF OMO.#: OMO-FGA3060ADF-ON-SEMICONDUCTOR	IGBT 600V 60A 176W TO-3PN
	Mfr.#: FGA30N120A OMO.#: OMO-FGA30N120A-1190	ブランドニューオリジナル
	Mfr.#: FGA30N120AND OMO.#: OMO-FGA30N120AND-1190	ブランドニューオリジナル
	Mfr.#: FGA30N120FTD OMO.#: OMO-FGA30N120FTD-1190	ブランドニューオリジナル
	Mfr.#: FGA30T65UPDT OMO.#: OMO-FGA30T65UPDT-1190	ブランドニューオリジナル