TSM60N1R4CH C5G

製品属性

属性値

メーカー：

台湾積体電路

製品カテゴリ：

MOSFET

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-251-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

600 V

Id-連続ドレイン電流：

3.3 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

880 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2 V

Qg-ゲートチャージ：

7.7 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

38 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

製品：

整流器

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

台湾積体電路

立ち下がり時間：

20 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

22 ns

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

24 ns

典型的なターンオン遅延時間：

14 ns

Tags

TSM60N1, TSM60N, TSM60, TSM6, TSM