NP36P04SDG-E1-AY

製品属性

属性値

メーカー：

ルネサスエレクトロニクス

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-252-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

40 V

Id-連続ドレイン電流：

36 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

17 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

1200 mW

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

2.3 mm

長さ：

6.5 mm

製品：

MOSFET小信号

トランジスタタイプ：

1 P-Channel

幅：

6.1 mm

ブランド：

ルネサスエレクトロニクス

立ち下がり時間：

140 ns

感湿性：

はい

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

10 ns

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

250 ns

典型的なターンオン遅延時間：

8 ns

単位重量：

0.011993 oz

Tags

NP36P04SDG-E, NP36P04S, NP36P04, NP36P, NP36, NP3