DMN30H4D0L-13

製品属性

属性値

メーカー：

組み込まれたダイオード

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-23-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

300 V

Id-連続ドレイン電流：

550 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

4 Ohms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.7 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

7.6 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

630 mW

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

シリーズ：

DMN30

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

組み込まれたダイオード

フォワード相互コンダクタンス-最小：

-

立ち下がり時間：

17.5 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

4.7 ns

ファクトリーパックの数量：

10000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

25.8 ns

典型的なターンオン遅延時間：

4.9 ns

単位重量：

0.000282 oz

Tags

DMN30H4D0, DMN30H4, DMN30H, DMN30, DMN3, DMN