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FQB4N

FQB4N20LTM vs FQB4N20 vs FQB4N20L

 
PartNumberFQB4N20LTMFQB4N20FQB4N20L
DescriptionMOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level
ManufacturerON Semiconductor--
Product CategoryMOSFET--
RoHSY--
TechnologySi--
Mounting StyleSMD/SMT--
Package / CaseTO-263-3--
Number of Channels1 Channel--
Transistor PolarityN-Channel--
Vds Drain Source Breakdown Voltage200 V--
Id Continuous Drain Current3.8 A--
Rds On Drain Source Resistance1.35 Ohms--
Vgs Gate Source Voltage20 V--
Minimum Operating Temperature- 55 C--
Maximum Operating Temperature+ 150 C--
Pd Power Dissipation3.13 W--
ConfigurationSingle--
Channel ModeEnhancement--
PackagingReel--
Height4.83 mm--
Length10.67 mm--
Transistor Type1 N-Channel--
TypeMOSFET--
Width9.65 mm--
BrandON Semiconductor / Fairchild--
Fall Time40 ns--
Product TypeMOSFET--
Rise Time70 ns--
Factory Pack Quantity800--
SubcategoryMOSFETs--
Typical Turn Off Delay Time15 ns--
Typical Turn On Delay Time7 ns--
Unit Weight0.011640 oz--
メーカー モデル 説明 RFQ
ON Semiconductor / Fairchild
ON Semiconductor / Fairchild 		FQB4N80TM MOSFET 800V N-Channel QFET
FQB4N20LTM MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level
FQB4N20 ブランドニューオリジナル
FQB4N20L ブランドニューオリジナル
FQB4N20TM-NL ブランドニューオリジナル
FQB4N20TMFSC ブランドニューオリジナル
FQB4N25 ブランドニューオリジナル
FQB4N50 ブランドニューオリジナル
FQB4N60 ブランドニューオリジナル
FQB4N60C ブランドニューオリジナル
FQB4N80 ブランドニューオリジナル
FQB4N90 ブランドニューオリジナル
FQB4N90TM-NL ブランドニューオリジナル
ON Semiconductor
ON Semiconductor 		FQB4N20TM MOSFET N-CH 200V 3.6A D2PAK
FQB4N50TM MOSFET N-CH 500V 3.4A D2PAK
FQB4N90TM MOSFET N-CH 900V 4.2A D2PAK
FQB4N80TM MOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAK
FQB4N20LTM MOSFET N-CH 200V 3.8A D2PAK
FQB4N25TM MOSFET N-CH 250V 3.6A D2PAK
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