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HGT

HGTP12N60A4 vs HGTP10N120BN vs HGTP12N60A4D

 
PartNumberHGTP12N60A4HGTP10N120BNHGTP12N60A4D
DescriptionIGBT Transistors 600V N-Channel IGBT SMPS SeriesIGBT 1200V 35A 298W TO220ABIGBT 600V 54A 167W TO220AB
ManufacturerON SemiconductorFairchild Semiconductor-
Product CategoryIGBT TransistorsIGBTs - Single-
RoHSY--
TechnologySi--
Package / CaseTO-220-3--
Mounting StyleThrough Hole--
ConfigurationSingle--
Collector Emitter Voltage VCEO Max600 V--
Collector Emitter Saturation Voltage2 V--
Maximum Gate Emitter Voltage20 V--
Continuous Collector Current at 25 C54 A--
Pd Power Dissipation167 W--
Minimum Operating Temperature- 55 C--
Maximum Operating Temperature+ 150 C--
PackagingTubeTube-
Continuous Collector Current Ic Max54 A--
Height9.65 mm--
Length10.67 mm--
Width4.83 mm--
BrandON Semiconductor / Fairchild--
Continuous Collector Current54 A--
Gate Emitter Leakage Current+/- 250 nA--
Product TypeIGBT Transistors--
Factory Pack Quantity400--
SubcategoryIGBTs--
Part # AliasesHGTP12N60A4_NL--
Unit Weight0.211644 oz--
Series---
Package Case-TO-220-3-
Input Type-Standard-
Mounting Type-Through Hole-
Supplier Device Package-TO-220AB-
Power Max-298W-
Reverse Recovery Time trr---
Current Collector Ic Max-35A-
Voltage Collector Emitter Breakdown Max-1200V-
IGBT Type-NPT-
Current Collector Pulsed Icm-80A-
Vce on Max Vge Ic-2.7V @ 15V, 10A-
Switching Energy-320μJ (on), 800μJ (off)-
Gate Charge-100nC-
Td on off 25°C-23ns/165ns-
Test Condition-960V, 10A, 10 Ohm, 15V-
  • 皮切りに
  • HGT 430
メーカー モデル 説明 RFQ
ON Semiconductor / Fairchild
ON Semiconductor / Fairchild 		HGTP12N60C3D IGBT Transistors HGTP12N60C3D
HGTP12N60A4 IGBT Transistors 600V N-Channel IGBT SMPS Series
ON Semiconductor
ON Semiconductor 		HGTP12N60C3D IGBT Transistors HGTP12N60C3D
HGTP10N120BN IGBT 1200V 35A 298W TO220AB
HGTP12N60A4 IGBT 600V 54A 167W TO220AB
HGTP12N60A4D IGBT 600V 54A 167W TO220AB
HGTP12N60C3 IGBT 600V 24A 104W TO220AB
HGTHLJ-20M0000000 ブランドニューオリジナル
HGTHLJ20.000000MHZ ブランドニューオリジナル
HGTIS14N36G3VLS ブランドニューオリジナル
HGTIS14N37G3VLS ブランドニューオリジナル
HGTIS20N35G3VLS ブランドニューオリジナル
HGTIS20N36G2VLS ブランドニューオリジナル
HGTIS3N60A4S9A ブランドニューオリジナル
HGTIS7N60A4DS ブランドニューオリジナル
HGTIS7N60A4DS G7N60A4D ブランドニューオリジナル
HGTIS7N60A4DS9A ブランドニューオリジナル
HGTM12N40C1 ブランドニューオリジナル
HGTM20N50E1 ブランドニューオリジナル
HGTM24N60D1 ブランドニューオリジナル
HGTN10N120BND ブランドニューオリジナル
HGTN30N60A ブランドニューオリジナル
HGTN30N60A4D ブランドニューオリジナル
HGTN40N60 ブランドニューオリジナル
HGTN40N60A4D ブランドニューオリジナル
HGTP10N120BN 10N120BN ブランドニューオリジナル
HGTP10N120BN G10N120BN ブランドニューオリジナル
HGTP10N120BN,10N120BN, ブランドニューオリジナル
HGTP10N40C1 Insulated Gate Bipolar Transistor, 10A I(C), 400V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
HGTP10N40C1D Insulated Gate Bipolar Transistor, 17.5A I(C), 400V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
HGTP10N40E1 Insulated Gate Bipolar Transistor, 10A I(C), 400V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
HGTP10N40E1D Insulated Gate Bipolar Transistor, 17.5A I(C), 400V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
HGTP10N40F1D Insulated Gate Bipolar Transistor, 12A I(C), 400V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
HGTP10N50C1 ブランドニューオリジナル
HGTP10N50C1D ブランドニューオリジナル
HGTP10N50E1 Insulated Gate Bipolar Transistor, 10A I(C), 500V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
HGTP10N50E1D Insulated Gate Bipolar Transistor, 17.5A I(C), 500V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
HGTP10N50F1D ブランドニューオリジナル
HGTP12N60A4D(PRFMD) ブランドニューオリジナル
HGTP12N60A4D? PT P TO220 12A 600V SMPS
HGTP12N60B3D ブランドニューオリジナル
HGTP12N60C3D G12N60C3D ブランドニューオリジナル
HGTP12N60C3DLS ブランドニューオリジナル
HGTP12N60C3DR ブランドニューオリジナル
HGTP12N60D1 ブランドニューオリジナル
HGTP14N36G3VL Trans IGBT Chip N-CH 390V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB - Bulk (Alt: HGTP14N36G3VL)
HGTP14N40F3VL Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers 400V/14A/TF<1.2US
HGTP12N60A4D 12N60A4D ブランドニューオリジナル
HGTHLJ20.000MHZ ブランドニューオリジナル
HGTHLR32.768MHZ ブランドニューオリジナル
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