IPB200N25N3

IPB200N25N3 G vs IPB200N25N3 vs IPB200N25N3 G(SP0006778

 
PartNumberIPB200N25N3 GIPB200N25N3IPB200N25N3 G(SP0006778
DescriptionMOSFET N-Ch 250V 64A D2PAK-2 OptiMOS 3
ManufacturerInfineon--
Product CategoryMOSFET--
RoHSY--
TechnologySi--
Mounting StyleSMD/SMT--
Package / CaseTO-263-3--
Number of Channels1 Channel--
Transistor PolarityN-Channel--
Vds Drain Source Breakdown Voltage250 V--
Id Continuous Drain Current64 A--
Rds On Drain Source Resistance17.5 mOhms--
Vgs th Gate Source Threshold Voltage2 V--
Vgs Gate Source Voltage20 V--
Qg Gate Charge86 nC--
Minimum Operating Temperature- 55 C--
Maximum Operating Temperature+ 175 C--
Pd Power Dissipation300 W--
ConfigurationSingle--
Channel ModeEnhancement--
TradenameOptiMOS--
PackagingReel--
Height4.4 mm--
Length10 mm--
SeriesOptiMOS 3--
Transistor Type1 N-Channel--
TypeOptiMOS 3 Power-Transistor--
Width9.25 mm--
BrandInfineon Technologies--
Forward Transconductance Min61 S--
Fall Time12 ns--
Product TypeMOSFET--
Rise Time20 ns--
Factory Pack Quantity1000--
SubcategoryMOSFETs--
Typical Turn Off Delay Time45 ns--
Typical Turn On Delay Time18 ns--
Part # AliasesIPB200N25N3GATMA1 IPB2N25N3GXT SP000677896--
Unit Weight0.139332 oz--
メーカー モデル 説明 RFQ
Infineon Technologies
Infineon Technologies
IPB200N25N3 G MOSFET N-Ch 250V 64A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB200N25N3GATMA1 MOSFET N-Ch 250V 64A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB200N25N3GATMA1 MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3
IPB200N25N3G POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 64A I(D), 250V, 0.02OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-263AB
IPB200N25N3 ブランドニューオリジナル
IPB200N25N3 G Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin TO-263 T/R (Alt: IPB200N25N3 G)
IPB200N25N3 G(SP0006778 ブランドニューオリジナル
IPB200N25N3G(SP00067789 ブランドニューオリジナル
IPB200N25N3G(SP000677896 ブランドニューオリジナル
IPB200N25N3GXT ブランドニューオリジナル
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