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| PartNumber | KSD1020GBU | KSD1020GTA | KSD1020YBU |
| Description | Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil | TRANS NPN 25V 0.7A TO-92S | TRANS NPN 25V 0.7A TO-92S |
| Manufacturer | ON Semiconductor | - | - |
| Product Category | Bipolar Transistors - BJT | - | - |
| RoHS | Y | - | - |
| Mounting Style | Through Hole | - | - |
| Package / Case | TO-92-3 | - | - |
| Transistor Polarity | NPN | - | - |
| Configuration | Single | - | - |
| Collector Emitter Voltage VCEO Max | 25 V | - | - |
| Collector Base Voltage VCBO | 30 V | - | - |
| Emitter Base Voltage VEBO | 5 V | - | - |
| Maximum DC Collector Current | 0.7 A | - | - |
| Gain Bandwidth Product fT | 170 MHz | - | - |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | - | - |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | - | - |
| DC Current Gain hFE Max | 400 | - | - |
| Height | 3.7 mm | - | - |
| Length | 4 mm | - | - |
| Packaging | Bulk | - | - |
| Width | 2.31 mm | - | - |
| Brand | ON Semiconductor / Fairchild | - | - |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 120 | - | - |
| Pd Power Dissipation | 350 mW | - | - |
| Product Type | BJTs - Bipolar Transistors | - | - |
| Factory Pack Quantity | 1000 | - | - |
| Subcategory | Transistors | - | - |
| Unit Weight | 0.008466 oz | - | - |
| メーカー | モデル | 説明 | RFQ |
|---|---|---|---|
ON Semiconductor / Fairchild |
KSD1020GBU | Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil | |
| KSD1020YTA | Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor | ||
| KSD1021YTA | Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil | ||
ON Semiconductor |
KSD1020GBU | TRANS NPN 25V 0.7A TO-92S | |
| KSD1020GTA | TRANS NPN 25V 0.7A TO-92S | ||
| KSD1020YBU | TRANS NPN 25V 0.7A TO-92S | ||
| KSD1020YTA | TRANS NPN 25V 0.7A TO-92S | ||
| KSD1021GTA | TRANS NPN 30V 1A TO-92S | ||
| KSD1021YBU | TRANS NPN 30V 1A TO-92S | ||
| KSD1021GBU | TRANS NPN 30V 1A TO-92S | ||
| KSD1021YTA | TRANS NPN 30V 1A TO-92S | ||
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