| メーカー | モデル | 説明 | RFQ |
|---|---|---|---|
ON Semiconductor / Fairchild |
RFD8P05 | MOSFET TO-251AA P-Ch Power | |
| RFD8P05SM | MOSFET TO-252AA P-Ch Power | ||
| RFD802 | ブランドニューオリジナル | ||
| RFD80N03 | ブランドニューオリジナル | ||
| RFD887A | ブランドニューオリジナル | ||
| RFD8P03 | ブランドニューオリジナル | ||
| RFD8P03L | ブランドニューオリジナル | ||
| RFD8P03LSM | ブランドニューオリジナル | ||
| RFD8P05SM (TO-251) | ブランドニューオリジナル | ||
| RFD8P05SM96 | ブランドニューオリジナル | ||
| RFD8P05SM9A | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 50V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | ||
| RFD8P05SM9AS2385 | ブランドニューオリジナル | ||
| RFD8P06 | ブランドニューオリジナル | ||
| RFD8P06E | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 60V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | ||
| RFD8P06ESM | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 60V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | ||
| RFD8P06ESM9A | (Alt: RFD8P06ESM9A) | ||
| RFD8P06LE | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 60V, 0.33ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | ||
| RFD8P06LESM | 8 A, 60 V, 0.33 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA | ||
| RFD8P06LESM9A | - Bulk (Alt: RFD8P06LESM9A) | ||
| RFD8P06LESM9AR4407 | ブランドニューオリジナル | ||
| RFD8P06SM | ブランドニューオリジナル | ||
| RFD8P6LE | ブランドニューオリジナル | ||
ON Semiconductor |
RFD8P05 | MOSFET P-CH 50V 8A I-PAK | |
| RFD8P05SM | MOSFET P-CH 50V 8A TO-252AA |
