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SEMIX

SEMIX101GD066HDS vs SEMIX101GD126HDS vs SEMIX101GD128DC

 
PartNumberSEMIX101GD066HDSSEMIX101GD126HDSSEMIX101GD128DC
DescriptionIGBT MODULE, SIX, 1.2KV, 129A, Transistor Polarity:Six NPN, DC Collector Current:129A, Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.7V, Power Dissipation Pd:-, Collector Emitter Voltage V(br)ce
メーカー モデル 説明 RFQ
SEMIX101GD066HDS ブランドニューオリジナル
SEMIX101GD126HDS IGBT MODULE, SIX, 1.2KV, 129A, Transistor Polarity:Six NPN, DC Collector Current:129A, Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.7V, Power Dissipation Pd:-, Collector Emitter Voltage V(br)ce
SEMIX101GD128DC ブランドニューオリジナル
SEMIX101GD128DS ブランドニューオリジナル
SEMIX101GD12E4S ブランドニューオリジナル
SEMIX101GD12T4S ブランドニューオリジナル
SEMIX151GB12E4V4 ブランドニューオリジナル
SEMIX151GB12T4S Insulated Gate Bipolar Transistor, 230A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
SEMIX151GD126HDS SEMIX, Trench IGBT Module, 1200V, 100A
SEMIX151GD128DS ブランドニューオリジナル
SEMIX151GD12E4S IGBT MODULE, SIX, 1.2KV, 232A, Transistor Polarity:Six NPN, DC Collector Current:232A, Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.8V, Power Dissipation Pd:-, Collector Emitter Voltage V(br)ce
SEMIX171KH16S RECTIFIER/THYRISTOR DIODE MODULE, 1600V, SEMIX
SEMIX201GD128DS ブランドニューオリジナル
SEMIX202GB066HD ブランドニューオリジナル
SEMIX202GB066HDS IGBT MODULE, DUAL, 600V, 275A, Transistor Polarity:Dual NPN, DC Collector Current:275A, Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.45V, Power Dissipation Pd:45W, Collector Emitter Voltage V(b
SEMIX202GB128D ブランドニューオリジナル
SEMIX202GB128DS ブランドニューオリジナル
SEMIX202GB12E4S ブランドニューオリジナル
SEMIX202GB12T4S ブランドニューオリジナル
SEMIX202GB12V4S ブランドニューオリジナル
SEMIX202GB12VS IGBT, MODULE, 1.2KV, 310A, Transistor Polarity:Dual NPN, DC Collector Current:310A, Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.75V, Power Dissipation Pd:-, Collector Emitter Voltage V(br)ceo:
SEMIX223GD12E4C ブランドニューオリジナル
SEMIX241DH16S THYRISTOR DIODE MODULE 300A, 1.6KV, SCR Module Type:Bridge Rectifier, Three Phase - SCR / Diode, Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:1.6kV, Gate Trigger Current Max, Igt:150mA, Current It av:2
SEMIX241MD008S ブランドニューオリジナル
SEMIX251GD126HDS IGBT, 1200 V, 250 A @ 25 DegC, 260 A @ 80 DegC, 1.7 V @ 25 degC
SEMIX252GB126HD ブランドニューオリジナル
SEMIX252GB126HDS IGBT MODULE, DUAL, 1.2KV, 242A, Transistor Polarity:Dual NPN, DC Collector Current:242A, Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.7V, Power Dissipation Pd:-, Collector Emitter Voltage V(br)
SEMIX253GB126HD ブランドニューオリジナル
SEMIX253GD126HDC ブランドニューオリジナル
SEMIX291D16S ブランドニューオリジナル
SEMIX302GAR12E4S ブランドニューオリジナル
SEMIX302GB126HDS ブランドニューオリジナル
SEMIX302GB126HS ブランドニューオリジナル
SEMIX302GB128D IGBT 4 (Trench)
SEMIX302GB128DS ブランドニューオリジナル
SEMIX302GB12E4S ブランドニューオリジナル
SEMIX302GB12T4S ブランドニューオリジナル
SEMIX302KD16S SEMIX, Trench IGBT Module, 1600V, 300A
SEMIX302KH16S SEMIX, Trench IGBT Module, 1600V, 300A
SEMIX302KT16S SEMIX, Trench Rectifier Thyristor Module, 1600V, 300A
SEMIX303GB12E4 ブランドニューオリジナル
SEMIX303GB12E4S IGBT MODULE, DUAL, 1.2KV, 466A, Transistor Polarity:Dual NPN, DC Collector Current:466A, Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.8V, Power Dissipation Pd:-, Collector Emitter Voltage V(br)
SEMIX303GB12V ブランドニューオリジナル
SEMIX303GB12VS ブランドニューオリジナル
SEMIX303GD12E4C ブランドニューオリジナル
SEMIX303GD12T4C ブランドニューオリジナル
SEMIX303GD12VC ブランドニューオリジナル
SEMIX341D16S RECTIFIER MODULE, 1.6KV, 340A, SEMIX 13S, No. of Phases:Three Phase, Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:1.6kV, Forward Current If(AV):340A, Bridge Rectifier Case Style:Module, Forward Voltage VF
SEMIX352GAL128DS ブランドニューオリジナル
SEMIX352GAR128DS ブランドニューオリジナル
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