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| PartNumber | SI4174DY-T1-GE3 | SI4172DY-T1-GE3 | SI4170DY-T1-GE3 |
| Description | MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8 | IGBT Transistors MOSFET 30V 15A 4.5W | MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC |
| Manufacturer | Vishay | VISHAY | - |
| Product Category | MOSFET | FETs - Single | - |
| RoHS | Y | - | - |
| Technology | Si | Si | - |
| Mounting Style | SMD/SMT | SMD/SMT | - |
| Package / Case | SO-8 | - | - |
| Tradename | TrenchFET | - | - |
| Packaging | Reel | Reel | - |
| Height | 1.75 mm | - | - |
| Length | 4.9 mm | - | - |
| Series | SI4 | - | - |
| Width | 3.9 mm | - | - |
| Brand | Vishay / Siliconix | - | - |
| Product Type | MOSFET | - | - |
| Factory Pack Quantity | 2500 | - | - |
| Subcategory | MOSFETs | - | - |
| Part # Aliases | SI4174DY-GE3 | - | - |
| Unit Weight | 0.006596 oz | 0.006596 oz | - |
| Part Aliases | - | SI4172DY-GE3 | - |
| Package Case | - | SOIC-Narrow-8 | - |
| Number of Channels | - | 1 Channel | - |
| Configuration | - | Single Quad Drain Triple Source | - |
| Transistor Type | - | 1 N-Channel | - |
| Pd Power Dissipation | - | 4.5 W | - |
| Maximum Operating Temperature | - | + 150 C | - |
| Minimum Operating Temperature | - | - 55 C | - |
| Fall Time | - | 8 ns | - |
| Rise Time | - | 10 ns | - |
| Vgs Gate Source Voltage | - | 20 V | - |
| Id Continuous Drain Current | - | 15 A | - |
| Vds Drain Source Breakdown Voltage | - | 30 V | - |
| Rds On Drain Source Resistance | - | 12 mOhms | - |
| Transistor Polarity | - | N-Channel | - |
| Typical Turn Off Delay Time | - | 16 ns | - |
| Typical Turn On Delay Time | - | 8 ns | - |
| Qg Gate Charge | - | 6.8 nC | - |
| Forward Transconductance Min | - | 52 S | - |
| Channel Mode | - | Enhancement | - |
| メーカー | モデル | 説明 | RFQ |
|---|---|---|---|
Vishay / Siliconix |
SI4174DY-T1-GE3 | MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8 | |
| SI4176DY-T1-GE3 | MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4178DY-T1-GE3 | ||
Vishay |
SI4172DY-T1-GE3 | IGBT Transistors MOSFET 30V 15A 4.5W | |
| SI4176DY-T1-GE3 | IGBT Transistors MOSFET 30V 12A N-CH MOSFET | ||
| SI4170DY-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC | ||
| SI4174DY-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC | ||
| SI4178DY-T1-E3 | MOSFET N-CH 30V 12A 8SO | ||
| SI4178DY-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC | ||
| SI4176DY-T1-E3 | MOSFET N-CH 30V 12A 8SO | ||
| SI417 | ブランドニューオリジナル | ||
| SI4170DY-T1-E3 | ブランドニューオリジナル | ||
| SI4172DY | ブランドニューオリジナル | ||
| SI4172DY-GE3 | ブランドニューオリジナル | ||
| SI4172DY-T1-E3 | ブランドニューオリジナル | ||
| SI4172DY-T1-G3 | ブランドニューオリジナル | ||
| SI4172DY-T1-G4 | ブランドニューオリジナル | ||
| SI4172DY-TI-E3 | ブランドニューオリジナル | ||
| SI4174DY | ブランドニューオリジナル | ||
| SI4174DY-T1-E3 | ブランドニューオリジナル | ||
| SI4174DY-T1-GE1 | ブランドニューオリジナル | ||
| SI4178 | ブランドニューオリジナル | ||
| SI4178BDY | ブランドニューオリジナル | ||
| SI4178DY | ブランドニューオリジナル | ||
| SI4178DY-T1 | ブランドニューオリジナル | ||
| SI4178DY-TI-GE3 | ブランドニューオリジナル | ||
| SI417DY | ブランドニューオリジナル | ||
| SI4178DY-T1-GE3-CUT TAPE | ブランドニューオリジナル |