DMN61D9UWQ-7

製品属性

属性値

メーカー：

組み込まれたダイオード

製品カテゴリ：

MOSFET

テクノロジー：

Si

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

60 V

Id-連続ドレイン電流：

340 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

1.2 Ohms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

500 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

5 V

Qg-ゲートチャージ：

400 pC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

440 mW

構成：

独身

チャネルモード：

強化

資格：

AEC-Q101

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

組み込まれたダイオード

フォワード相互コンダクタンス-最小：

200 mS

立ち下がり時間：

8.4 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

1.8 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

14.4 ns

典型的なターンオン遅延時間：

2.1 ns

Tags

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