BSM50GD120DN2G

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

IGBTモジュール

JBoss：

N

製品：

IGBTシリコンモジュール

構成：

六角

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

1200 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

2.5 V

25℃での連続コレクタ電流：

78 A

ゲートエミッタリーク電流：

200 nA

Pd-消費電力：

400 W

パッケージ/ケース：

EconoPACK 3A

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 150 C

高さ：

17 mm

長さ：

122 mm

テクノロジー：

Si

幅：

62 mm

ブランド：

インフィニオンテクノロジーズ

取り付けスタイル：

シャーシマウント

最大ゲートエミッタ電圧：

20 V

製品タイプ：

IGBTモジュール

ファクトリーパックの数量：

10

サブカテゴリ：

IGBT

Tags

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