STU6N60DM2

製品属性

属性値

メーカー：

STMicroelectronics

製品カテゴリ：

MOSFET

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

IPAK-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

600 V

Id-連続ドレイン電流：

5 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

1.1 Ohms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

3.25 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

25 V

Qg-ゲートチャージ：

6.2 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

60 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

STMicroelectronics

立ち下がり時間：

19.6 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

5.6 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

12 ns

典型的なターンオン遅延時間：

9.2 ns

Tags

STU6N6, STU6N, STU6, STU